用戶在進(jìn)行芯片測試系統(tǒng)運(yùn)行的時候，需要對于芯片測試了解清楚，為此，無錫冠亞分析了相關(guān)芯片測試的相關(guān)知識，為大家提供更詳細(xì)的知識。

　　功能不合格是指某個功能點(diǎn)點(diǎn)沒有實現(xiàn)，這往往是設(shè)計上導(dǎo)致的，通常是在設(shè)計階段前仿真來對功能進(jìn)行驗證來保證，所以通常設(shè)計一塊芯片，仿真驗證會占用大約80%的時間。性能不合格，某個性能指標(biāo)要求沒有過關(guān)，比如2G的cpu只能跑到1.5G，數(shù)模轉(zhuǎn)換器在要求的轉(zhuǎn)換速度和帶寬的條件下有效位數(shù)enob要達(dá)到12位，卻只有10位，以及lna的noise figure指標(biāo)不達(dá)標(biāo)等等。這種問題通常是由兩方面的問題導(dǎo)致的，一個是前期在設(shè)計系統(tǒng)時就沒做足余量，一個就是物理實現(xiàn)版圖太爛。這類問題通常是用后仿真來進(jìn)行驗證的。生產(chǎn)導(dǎo)致的不合格。這個問題出現(xiàn)的原因就要提到單晶硅的生產(chǎn)了。學(xué)過半導(dǎo)體物理的都知道單晶硅是規(guī)整的面心立方結(jié)構(gòu)，它有好幾個晶向，通常我們生長單晶是是按照111晶向進(jìn)行提拉生長。但是由于各種外界因素，比如溫度，提拉速度，以及量子力學(xué)的各種隨機(jī)性，導(dǎo)致生長過程中會出現(xiàn)錯位，這個就稱為缺陷。

　　芯片缺陷產(chǎn)生還有一個原因就是離子注入導(dǎo)致的，即使退火也未能校正過來的非規(guī)整結(jié)構(gòu)。這些存在于半導(dǎo)體中的問題，會導(dǎo)致器件的失效，進(jìn)而影響整個芯片。所以為了在生產(chǎn)后能夠揪出失效或者半失效的芯片，就會在設(shè)計時加入專門的測試電路，比如模擬里面的測試，數(shù)字里面的測邏輯，測存儲，來保證交付到客戶手上的都是ok的芯片。而那些失效或半失效的產(chǎn)品要么廢棄，要么進(jìn)行閹割后以低端產(chǎn)品賣出。

　　在運(yùn)行芯片測試系統(tǒng)的時候，如果發(fā)現(xiàn)芯片測試系統(tǒng)中芯片不合格的話就需要及時剔除，不斷提高芯片的運(yùn)行效率。（本文來源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請聯(lián)系無錫冠亞進(jìn)行刪除，謝謝。）